|
|
Měření vlastností oxidů manganu (MnOx) metodou EQCM
Pléha, David ; Špičák, Petr (oponent) ; Novák, Vítězslav (vedoucí práce)
Předkládaná práce se zabývá problematikou použití oxidu manganičitého jako katalyzátoru pro kladnou elektrodu palivových článků. V teoretické části práce je rozebrána problematika palivových článků se zaměřením na nízkoteplotní palivové články. Jsou zde rozebrány i použité metody měření a vyhodnocování vlastností vrstvy oxidu manganičitého. Praktická část práce se zabývá dopováním elektrolytického oxidu manganičitého solemi dvojmocných kovů a sledováním jejich chování při cyklické voltametrii metodou EQCM.
|
|
|
Charge Carrier Transport in Ta2O5 Oxide Nanolayers with Application to the Tantalum Capacitors
Kopecký, Martin ; Koktavý, Bohumil (oponent) ; Hudec, Lubomír (oponent) ; Sedláková, Vlasta (vedoucí práce)
The study of charge carrier transport in Ta2O5 oxide nanolayers is oriented on the explanation of the defects influence on the conductivity of these layers. We are concerned on the study of tantalum pentoxide nanolayers provided by the anodic oxidation. The technology process of oxide preparation contains many parameters which influence the defects concentration (probably oxygen vacancies) in the structure. Tantalum pentoxide of the thickness 20 to 200 nm is used as a dielectric layer in the tantalum capacitors. These capacitors can be considered as a metal-insulator-semiconductor (MIS) structure. Anode is formed from the tantalum powder with metallic conductivity and cathode is from manganese dioxide (MnO2) or conducting polymer (CP), respectively, both with semiconductor conductivity. The dominant mechanisms of the charge carriers’ transport in the Ta2O5insulating layer are ohmic, Poole-Frenkel, Schottky and tunneling, and these could be determined from the analysis of the leakage current I-V characteristic. Particular transport mechanisms are dependent on temperature and electric field in the insulation layer. The leakage current is important indicator of the insulation layer quality. Its value depends on the production technology, namely on the anodic oxidation and the cathode material. I-V characteristic is measured both in normal and reverse mode, it means the positive bias on anode for the normal mode and negative bias applied on anode for the reverse mode. I-V characteristic is asymmetric at the room temperature. This asymmetry decreases with decreasing temperature, and for the temperature below 50 K some of capacitors could be used as bipolar devices. From the analysis of I-V characteristic many parameters as insulator layer thickness or defect concentration in the Ta2O5 layer could be determined. We can also asses the MIS model parameters and determine the value of potential barriers on the M – I and I – S interfaces. C-V characteristics measurements and their temperature dependencies could be used for the estimation of capacitor electrodes affective area and the defects’ concentration in the Ta2O5 layer. The analysis of the capacitor cross-sections was performed by scanning electron microscope and the measurements of Ta2O5 layer thickness were performed for the each series of the capacitors.
|
|
|
Studium vlastností katalyzátoru na bázi MnOx s využitím RRDE
Podal, Pavel ; Vondrák, Jiří (oponent) ; Novák, Vítězslav (vedoucí práce)
Diplomová práce se zabývá kvalifikací katalytických materiálů kladné elektrody nízkoteplotních palivových článků. Teoretická část se zaměřuje na fyzikální a chemické vlastnosti nízkoteplotních palivových článků. Jsou zde popsány hydrodynamické metody RDE a RRDE. Studium RRDE využívá metod lineární a cyklické voltametrie pro kvalifikaci vlastností katalyzátorů a prezentaci dosažených výsledků. V praktické části je popsána příprava různých druhů uhlíkových směsí. Byla sledována redukce kyslíku pomocí metody RRDE. U katalytických materiálů je vyhodnocován: CV, stabilita vzorku, kinetické parametry, tvorba meziproduktu H2O2 a kinetika elektrodových reakcí.
|
|
|
Charge Carrier Transport in Ta2O5 Oxide Nanolayers with Application to the Tantalum Capacitors
Kopecký, Martin ; Koktavý, Bohumil (oponent) ; Hudec, Lubomír (oponent) ; Sedláková, Vlasta (vedoucí práce)
The study of charge carrier transport in Ta2O5 oxide nanolayers is oriented on the explanation of the defects influence on the conductivity of these layers. We are concerned on the study of tantalum pentoxide nanolayers provided by the anodic oxidation. The technology process of oxide preparation contains many parameters which influence the defects concentration (probably oxygen vacancies) in the structure. Tantalum pentoxide of the thickness 20 to 200 nm is used as a dielectric layer in the tantalum capacitors. These capacitors can be considered as a metal-insulator-semiconductor (MIS) structure. Anode is formed from the tantalum powder with metallic conductivity and cathode is from manganese dioxide (MnO2) or conducting polymer (CP), respectively, both with semiconductor conductivity. The dominant mechanisms of the charge carriers’ transport in the Ta2O5insulating layer are ohmic, Poole-Frenkel, Schottky and tunneling, and these could be determined from the analysis of the leakage current I-V characteristic. Particular transport mechanisms are dependent on temperature and electric field in the insulation layer. The leakage current is important indicator of the insulation layer quality. Its value depends on the production technology, namely on the anodic oxidation and the cathode material. I-V characteristic is measured both in normal and reverse mode, it means the positive bias on anode for the normal mode and negative bias applied on anode for the reverse mode. I-V characteristic is asymmetric at the room temperature. This asymmetry decreases with decreasing temperature, and for the temperature below 50 K some of capacitors could be used as bipolar devices. From the analysis of I-V characteristic many parameters as insulator layer thickness or defect concentration in the Ta2O5 layer could be determined. We can also asses the MIS model parameters and determine the value of potential barriers on the M – I and I – S interfaces. C-V characteristics measurements and their temperature dependencies could be used for the estimation of capacitor electrodes affective area and the defects’ concentration in the Ta2O5 layer. The analysis of the capacitor cross-sections was performed by scanning electron microscope and the measurements of Ta2O5 layer thickness were performed for the each series of the capacitors.
|
|
|
Studium vlastností katalyzátoru na bázi MnOx s využitím RRDE
Podal, Pavel ; Vondrák, Jiří (oponent) ; Novák, Vítězslav (vedoucí práce)
Diplomová práce se zabývá kvalifikací katalytických materiálů kladné elektrody nízkoteplotních palivových článků. Teoretická část se zaměřuje na fyzikální a chemické vlastnosti nízkoteplotních palivových článků. Jsou zde popsány hydrodynamické metody RDE a RRDE. Studium RRDE využívá metod lineární a cyklické voltametrie pro kvalifikaci vlastností katalyzátorů a prezentaci dosažených výsledků. V praktické části je popsána příprava různých druhů uhlíkových směsí. Byla sledována redukce kyslíku pomocí metody RRDE. U katalytických materiálů je vyhodnocován: CV, stabilita vzorku, kinetické parametry, tvorba meziproduktu H2O2 a kinetika elektrodových reakcí.
|
|
|
Měření vlastností oxidů manganu (MnOx) metodou EQCM
Pléha, David ; Špičák, Petr (oponent) ; Novák, Vítězslav (vedoucí práce)
Předkládaná práce se zabývá problematikou použití oxidu manganičitého jako katalyzátoru pro kladnou elektrodu palivových článků. V teoretické části práce je rozebrána problematika palivových článků se zaměřením na nízkoteplotní palivové články. Jsou zde rozebrány i použité metody měření a vyhodnocování vlastností vrstvy oxidu manganičitého. Praktická část práce se zabývá dopováním elektrolytického oxidu manganičitého solemi dvojmocných kovů a sledováním jejich chování při cyklické voltametrii metodou EQCM.
|
host ::
RSS.